Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RH7G04CBJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBJFRATCB
Price: 18.86 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RH7G04CBJFRATCB

Tillverk: Nr.:

RH7G04CBJFRATCB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Pch -40V -40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RH7G04CBJFRATCB Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRATCB

På lager: 3 000

Lager:: 3 000 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	18,86 kr	18,86 kr
	11,99 kr	119,90 kr
	8,32 kr	832,00 kr
	7,05 kr	3.525,00 kr
	6,15 kr	6.150,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	5,22 kr	15.660,00 kr
	5,13 kr	123.120,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	40 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	17.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 5 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	33 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	62 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	33 ns
Transkonduktans framåt - Min:	13 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	16 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	115 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RH7G04CBJFRATCB Datablad

Other

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I²C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I²C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA P-Ch Power MOSFET is AEC-Q101 qualified for automotive applications, including infotainment, lighting, ADAS, and body. The device offers a -40V drain-source voltage and ±40A continuous drain current. The ROHM RH7G04CBJFRA MOSFET is available in a DFN-8 package.