Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 69.32 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTMTS002N10MCTXG

Tillverk: Nr.:

NTMTS002N10MCTXG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Datablad:

NTMTS002N10MCTXG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTMTS002N10MCTXG

På lager: 2 525

Lager:: 2 525 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	69,32 kr	69,32 kr
	47,52 kr	475,20 kr
	35,97 kr	3 597,00 kr
	33,79 kr	33 790,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	33,68 kr	101 040,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TDFNW-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	236 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.3 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	89 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	255 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	SIngle
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Falltid:	26 ns
Transkonduktans framåt - Min:	180 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	19 ns
Serie:	NTMTS002N10MC
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	59 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	29 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTMTS002N10MCTXG Datablad

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NTMTS002N10MC Single N-Channel Power MOSFETs are crafted using the advanced Power Trench process featuring Shielded Gate technology. The onsemi NTMTS002N10MC MOSFETs have a compact 8mm x 8mm footprint and enable space-efficient designs. The devices' low R_DS(on) ensures minimal conduction losses, while low Q_G and capacitance reduce driver losses, ensuring superior switching performance. Encased in the Power 88 package, these MOSFETs are Pb-free and RoHS-compliant, aligning with modern environmental standards.