QPD0011 30W/60W 48V GaN on SiC HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Manövreringsfrekvens
Driftspänning
Arbetsström
Förstärkning
Typ
Monteringsstil
Teknologi
Serie
Förpackning
Qorvo RF-förstärkare 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair Ej på lager
Min.: 100
Multipla: 100
Papprulle: 100

3.3 GHz to 3.6 GHz 48 V 65 mA 13.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel
Qorvo QPD0011JTR13
Qorvo RF-förstärkare 3.4-3.6GHz 40Wx80W 48V GaN Transistor Pa Ej på lager
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

3.4 GHz to 3.6 GHz 12.6 dB SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel