600 V N-kanals MOSFET-enheter

Micro Commercial Components (MCC) 600 V N-kanals MOSFET-enheter är baserade på superkorsningsteknik (SJ) med låg RDS (on) och integrerar en snabb återhämtningsdiod för ökad effektivitet. Dessa integrerade dioder för snabb återhämtning säkerställer snabb återhämtningstid, optimerar den totala switchprestandan och kretsens tillförlitlighet. 600 V N-kanals MOSFET-enheter har låg resistans på 193 mΩ, vilket garanterar minimala effektförluster. MOSFET-enheterna är en utmärkt och sömlös uppgradering för befintliga konstruktioner och finns i isolerade (TO-220F) och oisolerade (TO-220AB) kapslingar. 600 V N-kanals MOSFET-enheter är perfekta för strömförsörjningar med strömomvandling, AC-DC-omvandlare, motorstyrenheter, motordrivkretsar och högspänningsväxling.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET:er N-CHANNEL MOSFET,TO-220F 1 880På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12.3 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Bulk
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET:er N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H) 1 941På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17.9 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Bulk