FAD7171MX

onsemi
863-FAD7171MX
FAD7171MX

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter 600V, 4A, SOIC-8, High-Side Gate Drive IC

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 448

Lager:
1 448 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
15,59 kr 15,59 kr
11,45 kr 114,50 kr
10,41 kr 260,25 kr
9,25 kr 925,00 kr
8,70 kr 2.175,00 kr
8,37 kr 4.185,00 kr
8,10 kr 8.100,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
7,51 kr 18.775,00 kr
7,43 kr 55.725,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Driver ICs - Various
High-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
1 Output
10 V
20 V
11 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
FAD7171MX
Reel
Cut Tape
Märke: onsemi
Ingångsspänning – max.: 20 V
Ingångsspänning – min.: 10 V
Maximal förseningstid vid avstängning: 95 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 100 ns
Fråntid - Max: 95 ns
Arbetsström: 105 uA
Utgångsspänning: 35 mV
Pd - Effektavledning: 625 mW
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 100 ns
Avstängning: No Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: Si
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

FAD7171MX High-Side Automotive Gate Driver IC

onsemi FAD7171MX High-Side Automotive Gate Driver IC is a 600V, 4A monolithic high-side gate drive IC, which can drive high-speed MOSFETs and IGBTs that operate up to +600V. The onsemi FAD7171MX features a buffered output stage with all NMOS transistors designed for high pulse current driving capability and minimum cross-conduction. onsemi’s high-voltage process and common-mode noise cancelling techniques provide stable operation of the high-side driver under high-dv/dt noise circumstances. An advanced level-shift circuit offers high-side gate driver operation up to VS=-13V (typical) for VBS=15V. The Under Voltage Lock Out (UVLO) circuit prevents malfunction when VBS is lower than the specified threshold voltage.