SBRFP10U60D1-13

Diodes Incorporated
621-SBRFP10U60D1-13
SBRFP10U60D1-13

Tillverk:

Beskrivning:
Schottky-dioder och -likriktare Super Barrier Rectifier TO252 T&R 2.5K

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 228

Lager:
1 228 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
12 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
9,09 kr 9,09 kr
5,68 kr 56,80 kr
3,72 kr 372,00 kr
2,86 kr 1.430,00 kr
2,58 kr 2.580,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
2,20 kr 5.500,00 kr
2,07 kr 10.350,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Diodes Incorporated
Produktkategori: Schottky-dioder och -likriktare
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Schottky Rectifiers
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Single Dual Anode
Si
10 A
60 V
520 mV
190 A
200 uA
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Diodes Incorporated
Produkttyp: Schottky Diodes & Rectifiers
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

SBRFP10U60D1 SBR® (Super Barrier Rectifier) Diode

Diodes Incorporated SBRFP10U60D1 SBR® (Super Barrier Rectifier) Diode is ideally suited for ultra-low blocking mode applications. SBR Diodes are next-generation Schottky Rectifiers that utilize a MOS manufacturing process. This creates a superior two-terminal device with a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. The devices possess the thermal stability and high-reliability characteristics of PN epitaxial diodes.