FGH75T65SHD-F155

onsemi
512-FGH75T65SHD_F155
FGH75T65SHD-F155

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 163

Lager:
1 163 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1   Maximalt: 60
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
67,73 kr 67,73 kr
39,11 kr 391,10 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
150 A
455 W
- 55 C
+ 175 C
FGH75T65SHD
Tube
Märke: onsemi
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 30
Underkategori: IGBTs
Del # Alias: FGH75T65SHD_F155
Enhetens vikt: 6,390 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Kina
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

FGH75T65SHD Field Stop Trench IGBT

onsemi FGH75T65SHD Field Stop Trench IGBT offers optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. The FGH75T65SHD features high current capability, high input impedance, and fast switching. The IGBT also offers positive temperature co-efficient for easy parallel operating.