Incoterms:DDP Alla priser inkluderar tullavgifter för valda transportsätt.
Bekräfta ditt val av valuta:
Svenska kronor Fri frakt på de flesta beställningar över 800 kr (SEK).
Euro Fri frakt på de flesta beställningar över 75 € (EUR).
Amerikanska dollar Fri frakt på de flesta beställningar över $90 (USD).
Bilder är endast för referens Se produktspecifikationer
Dela denna
Länken kunde inte skapas just nu. Försök igen.
AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.