NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET

onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC (Silicon Carbide) MOSFET is optimized for fast switching applications and offers a low 22mΩ drain-to-source on-resistance. The M3S Series SiC MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also work well with a 15V gate drive. This device features planar technology, which works reliably with a negative gate voltage drive and turns off spikes on the gate. 

Resultat: 4
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Datablad
827På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Datablad
819På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Datablad
36På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Datablad
205På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC