Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

MRFE6VS25GN-960

Name: NXP MRFE6VS25GN-960
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MRFE6VS25GN-960
Price: 14763.94 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-MRFE6VS25GN-960

Tillverk: Nr.:

MRFE6VS25GN-960

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

RF-utvecklingsverktyg MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit

Datablad:

MRFE6VS25GN-960 Datablad (PDF)

Mer information

Lär dig mer om NXP Semiconductors MRFE6VS25GN-960

På lager: 2

Lager:: 2 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 1 vecka Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	14.763,94 kr	14.763,94 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	RF-utvecklingsverktyg
RoHS-direktivet:
Produkt:	Reference Design Boards
Typ:	RF Transistor
Verktyget är till för utvärdering av:	MRFE6VS25N
Frekvens:	960 MHz to 1.215 GHz
Märke:	NXP Semiconductors
Driftspänning:	50 V
Produkttyp:	RF Development Tools
Serie:	MRFE6VS25N
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Development Tools
Del # Alias:	935392203598
Enhetens vikt:	453,592 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

MRFE6VS25GN-960 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 9030908050
ECCN:: EAR99

MRFE6VS25GN Reference Circuit

NXP Semiconductors MRFE6VS25GN Reference Circuit is designed to allow rapid evaluation and prototyping of the MRFE6VS25 RF Power LDMOS Transistor. The MRFE6VS25 is designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast, and aerospace applications operating at frequencies from 1.8MHz to 2000MHz. These devices are fabricated using NXP’s enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications with high VSWRs.

RF Reference Circuits

NXP Semiconductors RF Reference Circuits are ease of use solutions designed to accelerate prototyping RF applications for faster time to market. These compact reference circuits offer design reuse across frequencies using the same PCB layout, enabling RF designers to quickly generate new power amplifier designs for multiple frequencies.