Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 743.27 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NXV08H300DT1

Tillverk: Nr.:

NXV08H300DT1

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET-moduler APM17-MDC MV7 80V AL2O3 2 PHASE

Datablad:

NXV08H300DT1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NXV08H300DT1

På lager: 30

Lager:: 30 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	743,27 kr	743,27 kr
	594,81 kr	5 948,10 kr
	563,09 kr	56 309,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	APM-17
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Rds på - Dräneringskällans resistans:	650 uOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Serie:	NXV08H300DT1
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Half-Bridge
Falltid:	290 ns
Produkttyp:	MOSFET Modules
Stigtid:	475 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Discrete and Power Modules
Typ:	Automotive Power MOSFET Module
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	608 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	235 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NXV08H300DT1 Datablad

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H300DT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H300DT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H300DT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and CO₂ emissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H300DT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.