Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are designed for hard switching and resonant mode applications. They offer low gate charge, excellent ruggedness, and a fast intrinsic diode. The IXYS Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning

IXYS MOSFET:er 300V 52A
Datablad
91På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET:er 3.5 Amps 1000V 3 Rds
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 37 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube