Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RQ3G110ATTB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G110ATTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G110ATTB
Price: 21.04 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RQ3G110ATTB

Tillverk: Nr.:

RQ3G110ATTB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er HSMT8 P-CH 40V 35A

Datablad:

RQ3G110ATTB Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RQ3G110ATTB

På lager: 3 681

Lager:: 3 681 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	21,04 kr	21,04 kr
	12,10 kr	121,00 kr
	8,99 kr	899,00 kr
	7,60 kr	3.800,00 kr
	7,02 kr	7.020,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	6,29 kr	18.870,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSMT-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	35 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	12.4 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	46 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	20 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	75 ns
Transkonduktans framåt - Min:	11 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	41 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	130 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	14 ns
Del # Alias:	RQ3G110AT

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RQ3G110ATTB Datablad

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RQ3G110AT P-Channel -40V -35A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3G110AT P-Channel -40V -35A Power MOSFET is a low on-resistance device housed in a high-power small mold package (HSMT8). The RQ3G110AT features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free.