NXH400N100L4Q2F2SG

onsemi
863-H400N100L4Q2F2SG
NXH400N100L4Q2F2SG

Tillverk:

Beskrivning:
Åtskilda halvledaremoduler ESS 200KW PIM SOLDER PIN

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 33

Lager:
33 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
1.771,90 kr 1.771,90 kr
1.716,64 kr 20.599,68 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: Åtskilda halvledaremoduler
IGBT-Diode Modules
Si
SMD/SMT
Q2PACK
- 40 C
+ 175 C
NXH400N100L4Q2F2
Tray
Märke: onsemi
Konfiguration: Module
Pd - Effektavledning: 980 W
Produkttyp: Discrete Semiconductor Modules
Fabriksförpackningskvantitet: 12
Underkategori: Discrete and Power Modules
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH400N100L4Q2F2 IGBT Modules

onsemi NXH400N100L4Q2F2 IGBT Modules contain an I-type neutral point clamped three-level inverter. The onsemi NXH400N100L4Q2F2 Modules leverage integrated field stop trench IGBTs and FRDs to minimize conduction and switching losses, ensuring exceptional efficiency and reliability. The modules feature a neutral point-clamped three-level inverter design and employ an extremely efficient trench with field stop technology for optimized performance. The devices' low inductive layout and package height further enhance efficiency and reliability while integrating a thermistor for temperature monitoring.