MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections. 

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Transistorns polaritet Teknologi Id - Kontinuerlig dräneringsström Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Manövreringsfrekvens Förstärkning Utgångseffekt Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Monteringsstil Paket/låda Förpackning
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistorer Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors RF MOSFET-transistorer Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 50
Multipla: 50
Papprulle: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel