Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

DMT2004UFDF-7

Name: Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT2004UFDF-7
Price: 8.44 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

621-DMT2004UFDF-7

Tillverk: Nr.:

DMT2004UFDF-7

Tillverk:

Diodes Incorporated

Beskrivning:

MOSFET:er MOSFET BVDSS: 8V-24V

Datablad:

DMT2004UFDF-7 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7

På lager: 3 631

Lager:: 3 631 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	8,44 kr	8,44 kr
	5,28 kr	52,80 kr
	3,58 kr	358,00 kr
	2,75 kr	1 375,00 kr
	2,49 kr	2 490,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,14 kr	6 420,00 kr
	1,97 kr	11 820,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Diodes Incorporated
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-2020-6
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	24 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	14.1 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	4.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	550 mV
Qg - Gate-laddning:	53.7 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	12.5 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Falltid:	38.6 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	9.6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	30.8 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	3.9 ns
Enhetens vikt:	6,750 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

DMT2004UFDF-7 Datablad (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMT2004UF N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFET is a 24V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET designed with a 0.6mm profile and 4mm² footprint. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, the DMT2004UF MOSFET minimizes on-state resistance while maintaining excellent switching performance. The DMT2004UF MOSFET offers a 4.8-12.5mΩ on-state resistance, 0.55-1.45V gate threshold voltage, 11.2-14.1A continuous drain current, and 12.5W power dissipation. Switching performance includes a 38.6ns turn-off fall time, 9.6ns turn-on rise time, typical 30.8ns turn-off delay time, typical 3.9ns turn-on delay time, and 11.2ns recovery time. The 24V DMT2004UF N-Channel Enhancement-Mode MOSFET design makes the device ideal for high-efficiency power-management applications.