DMN3008SFG-7

Diodes Incorporated
621-DMN3008SFG-7
DMN3008SFG-7

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 801

Lager:
3 801 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
24 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
10,03 kr 10,03 kr
6,26 kr 62,60 kr
4,11 kr 411,00 kr
3,17 kr 1 585,00 kr
2,87 kr 2 870,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
2,54 kr 5 080,00 kr
2,37 kr 9 480,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Alternativ förpackning

Tillverk: Artikelnummer:
Emballage:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Tillgänglighet:
På lager
Pris:
10,03 kr
Min:
1

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Diodes Incorporated
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
PowerDI3333-8
N-Channel
1 Channel
30 V
17.6 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.3 V
41 nC
- 55 C
+ 150 C
2.1 W
Enhancement
PowerDI
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Falltid: 28.4 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 14 ns
Serie: DMN3008
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 63.7 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 5.7 ns
Enhetens vikt: 30 mg
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

DMN3008 Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN3008 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) while maintaining superior switching performance. This device is offered in a small form factor, thermally efficient POWERDI®3333-8 case, and supports higher density end products. Diodes DMN3008 is ideal for high-efficiency power management applications such as backlighting, power management functions, and DC-DC converters.

DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.