QPD2025D

Qorvo
772-QPD2025D
QPD2025D

Tillverk:

Beskrivning:
RF JFET-transistorer 0.25 mm Pwr pHEMT

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 100

Lager:
100 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 100   Flera: 100
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
109,87 kr 10.987,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: RF JFET-transistorer
RoHS-direktivet:  
pHEMT
Reel
Märke: Qorvo
Produkttyp: RF JFET Transistors
Serie: QPD2025D
Fabriksförpackningskvantitet: 100
Underkategori: Transistors
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die is developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2025D operates from DC to 20GHz with 24dBm typical output power at P1dB with a gain of 14dB and 58% power-added efficiency at 1dB compression. With this performance level, the device is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride delivers environmental robustness and scratch protection.