DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules

Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules offer a 1.35V at 100A forward voltage and a 500W power dissipation. The devices operate at a -40°C to +150°C maximum temperature range. The Infineon DDB6U134N16RR IGBT Silicon Modules are available in a package of 45mm x 107.5mm x 20.5mm (W x L x H).

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil If - Framström Konfiguration Vf - Framspänning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Förpackning
Infineon Technologies Diodmoduler LOW POWER ECONO 13På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Screw Mount 100 A Single 1.35 V - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Diodmoduler LOW POWER ECONO 20På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Tray
Infineon Technologies Diodmoduler LOW POWER ECONO Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 15
Multipla: 15

Screw Mount 35 A 1.35 V - 40 C + 150 C Tray