Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVHL027N65S3F

Name: onsemi NVHL027N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL027N65S3F
Price: 193.8 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVHL027N65S3F

Tillverk: Nr.:

NVHL027N65S3F

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er SUPERFET3 650V TO247 PKG

Datablad:

NVHL027N65S3F Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVHL027N65S3F

På lager: 309

Lager:: 309 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 17 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	193,80 kr	193,80 kr
	122,30 kr	1 223,00 kr
	115,10 kr	11 510,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	75 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	27.4 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	227 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	595 W
Kanalläge:	Enhancement
Kvalificering:	AEC-Q101
Handelsnamn:	SuperFET III
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	42 ns
Transkonduktans framåt - Min:	57 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	59 ns
Serie:	SuperFET3
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	147 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	46 ns
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVHL027N65S3F Datablad

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage AEC-Q101 qualified Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NVHL027N65S3F SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NVHL027N65S3F also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components and improved system reliability.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.