30V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 30V Single N-Channel Power MOSFETs feature a low RDS(ON) (drain-source on-state resistance), which minimizes conductive losses. These devices also feature a low gate charge for fast switching. These N-Channel Power MOSFETs are ideal for battery power management, load switching, motor control, and DC-DC converter applications.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Förpackning
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET
Datablad
2 489På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET
Datablad
826På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 194 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET
Datablad
2 439På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel