High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Typer av Transistorer

Ändra kategorivy
Resultat: 19
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS Produkttyp Teknologi Monteringsstil Paket/låda
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT 448På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT 2 787På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD 281På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT 224På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT 307På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN 334På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET 277På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD 127På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT 8På lager
720Förväntad 2026-03-11
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
1 275Förväntad 2026-07-22
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
300Förväntad 2026-04-01
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+ Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT Ledtid för icke lagerfört 34 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET:er ISOPLUS 3KV 24A DIODE Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 300
Multipla: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A Ledtid för icke lagerfört 80 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 25
Multipla: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK Ledtid för icke lagerfört 57 Veckor
Min.: 300
Multipla: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3