A2TBH45M65W3-FC

STMicroelectronics
511-A2TBH45M65W3-FC
A2TBH45M65W3-FC

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET-moduler ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
36
Förväntad 2026-02-17
Fabrikens ledtid:
20
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
872,76 kr 872,76 kr
729,43 kr 7.294,30 kr
654,44 kr 70.679,52 kr
504 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET-moduler
RoHS-direktivet:  
Press Fit
ACEPACK
650 V
28 A
72 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.2 V
- 40 C
+ 150 C
Tray
Märke: STMicroelectronics
Höjd: 12 mm
If - Framström: 20 A
Längd: 62.8 mm
Produkt: MOSFET Modules
Produkttyp: MOSFET Modules
Fabriksförpackningskvantitet: 18
Underkategori: Discrete and Power Modules
Typ: Power Module
Vf - Framspänning: 1.4 V
Bredd: 56.7 mm
Enhetens vikt: 42 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

A2TBH45M65W3-FC Power Module

STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC Power Module realizes a triple boost plus half-bridge topology in an ACEPACK 2 module with NTC and capacitance. It integrates the current advances in silicon carbide MOSFETs from STMicroelectronics, represented by third-generation technology. This modular solution is used to realize complex topologies with very high power density and efficiency requirements.