GEN3 1 200 V SiC MOSFET diskreta enheter

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

Resultat: 4
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
SemiQ SiC-MOSFET:ar Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datablad
55På lager
60Förväntad 2026-02-18
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFET:ar Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datablad
168På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFET:ar Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datablad
90På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ SiC-MOSFET:ar Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement