Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

CMPA5259050S-AMP1

Name: MACOM CMPA5259050S-AMP1
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA5259050SAMP1
Price: 15232.75 SEK
Availability: InStock

Mouser nr:

941-CMPA5259050SAMP1

Tillverk: Nr.:

CMPA5259050S-AMP1

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

RF-utvecklingsverktyg Evaluation board for CMPA5259050S

Datablad:

CMPA5259050S-AMP1 Datablad (PDF)

Mer information

Lär dig mer om MACOM CMPA5259050S-AMP1

På lager: 2

Lager:: 2 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	15.232,75 kr	15.232,75 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	RF-utvecklingsverktyg
RoHS-direktivet:	N
Typ:	Power Amplifiers
Märke:	MACOM
Maximal drifttemperatur:	+ 225 C
Minsta drifttemperatur:	- 65 C
Driftspänning:	28 V
Förpackning:	Bulk
Produkttyp:	RF Development Tools
Fabriksförpackningskvantitet:	1
Underkategori:	Development Tools

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CMPA5259050S-AMP1 Datablad (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

CMPA5259050S-AMP1 Test Board

MACOM CMPA5259050S-AMP1 Test Board is designed to quickly and easily demonstrate the CMPA5259050S amplifier. The CMPA5259050S GaN MMIC Power Amplifier includes a two-stage reactively matched amplifier design approach enabling high power and power-added efficiency. The gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC) features 27dB small-signal gain, 65W typical PSAT, and up to 28V operation.