Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

TP65H070G4RS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4RS-TR
Price: 74.67 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

227-TP65H070G4RS-TR

Tillverk: Nr.:

TP65H070G4RS-TR

Tillverk:

Renesas Electronics

Beskrivning:

GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Livscykel:

Nytt hos Mouser

Datablad:

TP65H070G4RS-TR Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR

På lager: 1 696

Lager:: 1 696 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	74,67 kr	74,67 kr
	50,79 kr	507,90 kr
	39,13 kr	3.913,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1300)
	33,35 kr	43.355,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Renesas Electronics
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TOLT-16
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	29 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	85 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	9 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	96 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	SuperGaN
Märke:	Renesas Electronics
Konfiguration:	Single
Falltid:	7.2 ns
Fuktkänsliga:	Yes
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkttyp:	GaN FETs
Stigtid:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Fabriksförpackningskvantitet:	1300
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	56 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	43.4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TP65H070G4RS-TR Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN^® FET in TOLT features an on-resistance R_DS(on) of 72mΩ typical in a top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC standard MO-332. The TOLT package offers thermal management flexibility, especially in systems that do not allow for conventional surface-mount devices with bottom-side cooling. The TP65H070G4RS is a normally-off device that combines low-voltage silicon MOSFET and high-voltage GaN HEMT technologies to deliver superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform leverages advanced epitaxial (epi) and patented design technologies to streamline manufacturability and enhance efficiency compared to silicon. It achieves this by reducing gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET is ideal for datacom, industrial, computing, and other applications.