GTVA högeffekts RF-GaN på SiC HEMT

Wolfspeed/Cree GTVA högeffekts RF - GaN på SiC HEMT är transistorer med hög elektronförflyttning (HEMT) på 50 V som är baserade på galliumnitrid i kiselkarbid -teknik. GaN på SiC erbjuder högeffektiv täthet kombinerat med en hög nedbrytningsspänning vilket möjliggör högeffektiva effektförstärkare. GTVA högeffekts RF-GaN på SiC HEMT har ingångsmatchning, hög effektivitet och termiskt förbättrade kapslingar. Enheterna med puls/CW (kontinuerlig våg) har en pulsbredd på 128µs och en tjänstecykel på 10 %.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning

MACOM GaN FET GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Datablad
9På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FET GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Datablad
Ej på lager
Min.: 250
Multipla: 250
Papprulle: 250

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V

MACOM GaN FET GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 50
Multipla: 50
Papprulle: 50

Screw Mount H-36248-2 N-Channel 150 V 10 A - 3 V