CSD17581Q3A NexFET™ effekt-MOSFET

Texas Instruments CSD17581Q3A NexFET™ effekt-MOSFET är en N-kanals 30V, 3.2mΩ effekt-MOSFET. Enheten är konstruerad för att minimera förluster i effektkonverteringstillämpningar. Denna MOSFET ger låg Qg, Qgd, RDS(on) och låg termisk resistans. De här funktionerna gör den här enheten perfekt för synkrona buck-omvandlare i belastningspunkter för tillämpningar inom nätverk, telekom och datorsystem. Enheten fungerar även bra i motorstyrningstillämpningar och är optimerad för FET-styrtillämpningar.
Läs mer

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning

Texas Instruments MOSFET:er 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
Datablad
306På lager
7 500Förväntad 2026-03-12
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFET:er 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A
Datablad
358På lager
250Förväntad 2026-02-20
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel