Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SIHS90N65E-GE3

Name: Vishay SIHS90N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHS90N65E-GE3
Price: 190.42 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIHS90N65E-GE3

Tillverk: Nr.:

SIHS90N65E-GE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er SPR247 650V 87A N-CH MOSFET

Datablad:

SIHS90N65E-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SIHS90N65E-GE3

På lager: 72

Lager:: 72 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 72 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	190,42 kr	190,42 kr
	136,25 kr	1 362,50 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	Super-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	87 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	29 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	394 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	625 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	267 ns
Transkonduktans framåt - Min:	32 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	152 ns
Serie:	SIHS E
Fabriksförpackningskvantitet:	480
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	E Series Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	323 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	85 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SIHS90N65E-GE3 Datablad

Models

Technical Resources

TO-274AA (High Voltage)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHS90N65E Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET offers a low figure-of-merit, low input capacitance, and ultra-low gate charge. The SiHS90N65E Power MOSFET has a 700V drain-source voltage and is optimized to reduce switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET is suitable for server and telecom power supplies, lighting, and industrial applications.