Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultat: 103
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Kvalificering Handelsnamn Förpackning
onsemi MOSFET:er T8 80V LL NFET Ledtid 19 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET:er TRENCH 8 80V NFET Ledtid för icke lagerfört 23 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET:er TRENCH 8 80V NFET Ledtid för icke lagerfört 19 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 48 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel