Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 67.14 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIHR080N60ET1GE3

Tillverk: Nr.:

SIHR080N60E-T1-GE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er N-CHANNEL 600V

Datablad:

SIHR080N60E-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SIHR080N60E-T1-GE3

På lager: 2 187

Lager:: 2 187 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Partier som är större än 2187 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	67,14 kr	67,14 kr
	48,18 kr	481,80 kr
	36,62 kr	3.662,00 kr
	34,44 kr	34.440,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	32,59 kr	65.180,00 kr
	31,07 kr	124.280,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	600 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	51 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	74 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5 V
Qg - Gate-laddning:	42 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	500 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerPAK
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Falltid:	31 ns
Transkonduktans framåt - Min:	4.6 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	96 ns
Serie:	SIHR E
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	37 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	31 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SIHR080N60E-T1-GE3 Datablad

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiHR080N60E N-kanals effekt-MOSFET

Vishay/Siliconix SiHR080N60E N-kanals effekt-MOSFET är fjärde generationens effekt-MOSFET i 600 V E-serien i en PowerPAK ® 8 x 8 LR-kapsling. MOSFET-enheten ger högre effektivitet och effekttäthet för telekom-, industri- och datortillämpningar. SiHR080N60E har en låg typisk on-resistans på 0,074Ω vid 10 V och extremt låg gate-laddning ner till 42 nC, vilket resulterar i minskade lednings- och switchningsförluster, vilket sparar energi och ökar effektiviteten i strömsystemen >2 kW. Paketet tillhandahåller även en Kelvin-anslutning för förbättrad switcheffektivitet. Vishay/Siliconix SiHR080N60E är utformad för att tåla överspänningstransienter i lavinläge med garanterade gränser genom UIS-testning 100 %.