Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVMJD010N10MCLTWG

Name: onsemi NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-VMJD010N10MCLTWG
Price: 30.96 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-VMJD010N10MCLTWG

Tillverk: Nr.:

NVMJD010N10MCLTWG

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er PTNG 100V N-CH LL IN LFPA

Datablad:

NVMJD010N10MCLTWG Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMJD010N10MCLTWG

På lager: 2 297

Lager:: 2 297 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	30,96 kr	30,96 kr
	20,06 kr	200,60 kr
	14,72 kr	1 472,00 kr
	12,43 kr	6 215,00 kr
	11,77 kr	11 770,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	10,68 kr	32 040,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	LFPAK-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	62 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	10 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	26.4 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	84 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Falltid:	28 ns
Transkonduktans framåt - Min:	61 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	32 ns
Serie:	NVMJD010N10MCL
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	68 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMJD010N10MCLTWG Datablad

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMJD010N10MCL Power MOSFET

onsemi NVMJD010N10MCL Power MOSFET is a dual, N-Channel MOSFET designed for compact and efficient designs, including high thermal performance. This power MOSFET operates at 100V drain-to-source voltage, 10mΩ drain resistance, and 62A continuous drain current. The NVMJD010N10MCL MOSFET features low total gate charge (Q_G) and capacitance to minimize driver losses. This MOSFET comes in a 5mm x 6mm flat lead package and is an AEC-Q101-qualified MOSFET. The device is Pb-free, halogen-free/BFR-free, Beryllium-free, and RoHS-compliant. This power MOSFET is ideal for solenoid drivers low side/high side drivers, automotive engine controllers, and antilock braking systems.