MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Manövreringsfrekvens
Driftspänning
Arbetsström
Förstärkning
Typ
Monteringsstil
Paket/låda
Teknologi
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Förpackning
MACOM RF-förstärkare Transistor,GaN,100W,CW
Datablad
287På lager
Min.: 1
Multipla: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF-förstärkare Amplifier,GaN,50W,CW
Datablad
84På lager
Min.: 1
Multipla: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM RF-förstärkare Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 28 Veckor
Min.: 250
Multipla: 250
Papprulle: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel