TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Vgs - Gate-källans spänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Qorvo GaN FET 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Datablad
100På lager
Min.: 1
Multipla: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FET .03-3GHz,5W,32V,50Ohm GaN RF I/P-Mtch T
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 12 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W