R6049YN N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R6049YN N-Channel Power MOSFETs offer high-speed switching and low-on resistances for switching applications. Operating in a -55°C to +150°C temperature range, these single-channel enhancement mode devices feature a 600V drain-source breakdown voltage, a ±22A or ±49A continuous drain current, and a 65nC total gate charge. The ROHM R6049YN N-Channel Power MOSFETs are available in TO-220AB-3, TO-220FM-3, and TO-247G-3 package options.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
ROHM Semiconductor MOSFET:er Nch 600V 49A, TO-220AB, Power MOSFET: R6049YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datablad
1 253På lager
1 000Förväntad 2026-09-14
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET:er Nch 600V 22A, TO-220FM, Power MOSFET: R6049YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datablad
1 964På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET:er Nch 600V 49A, TO-247G, Power MOSFET: R6049YNZ4 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 49 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 65 nC - 55 C + 150 C 448 W Enhancement Tube