RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 5.42 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

583-RM2312-T

Tillverk: Nr.:

RM2312-T

Tillverk:

Rectron

Beskrivning:

MOSFET:er

Datablad:

RM2312-T Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Rectron RM2312-T

På lager: 2 404

Lager:: 2 404 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	5,42 kr	5,42 kr
	4,00 kr	40,00 kr
	2,27 kr	227,00 kr
	1,53 kr	765,00 kr
	1,17 kr	1.170,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	1,02 kr	3.060,00 kr
	0,883 kr	5.298,00 kr
	0,818 kr	7.362,00 kr
	0,73 kr	17.520,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Rectron
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT23-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	20 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4.5 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	33 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	500 mV
Qg - Gate-laddning:	10 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.25 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Rectron
Konfiguration:	Single
Falltid:	28 ns
Transkonduktans framåt - Min:	10 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	18 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	60 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	20 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RM2312-T Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.