AF54RHC132ENT-R

Apogee Semiconductor
444-AF54RHC132ENT-R
AF54RHC132ENT-R

Tillverk:

Beskrivning:
Logikgrindar GEO Quad Schmitt 2-input NAND, Evaluation-Grade, NiPdAu TSSOP14, packed in tape and reel

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 227

Lager:
227 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
4 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
984,38 kr 984,38 kr
891,08 kr 8 910,80 kr
867,20 kr 21 680,00 kr
866,66 kr 43 333,00 kr
826,11 kr 82 611,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 250)
800,28 kr 200 070,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Apogee Semiconductor
Produktkategori: Logikgrindar
Leveransrestriktioner:
 Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:  
NAND
4 Gate
AF54RHC
8 Input
TSSOP-14
4 Output
24 mA
- 24 mA
38 ns
1.65 V
5.5 V
- 55 C
+ 125 C
SMD/SMT
Reel
Cut Tape
Märke: Apogee Semiconductor
Logiktyp: CMOS
Temperaturområde: - 55 C to + 125 C
Utgångsström: 100 mA
Utgångsspänning: 5.5 V
Produkt: NAND Gate
Produkttyp: Logic Gates
Serie: AF54RHC132
Fabriksförpackningskvantitet: 250
Underkategori: Logic ICs
Handelsnamn: LEO
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8542319000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
9A515.e.1

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).