Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 59.41 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SIJK5100E-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SIJK5100E-T1-GE3

Tillverk:

Vishay

Beskrivning:

MOSFET:er PWRPK 100V 417A

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

SIJK5100E-T1-GE3 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay SIJK5100E-T1-GE3

På lager: 4 384

Lager:: 4 384 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 3 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	59,41 kr	59,41 kr
	41,31 kr	413,10 kr
	30,19 kr	3.019,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	25,62 kr	38.430,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerPAK-16
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	417 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.4 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	131 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	536 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Vishay
Konfiguration:	Single
Falltid:	35 ns
Transkonduktans framåt - Min:	245 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	18 ns
Serie:	SIJK5100E
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	54 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	41 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SIJK5100E-T1-GE3 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.