Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

QPD1026L

Name: Qorvo QPD1026L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1026L
Price: 16232.72 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-QPD1026L

Tillverk: Nr.:

QPD1026L

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET 1500W, 65V,GaN pre-matched, 442(+/-5) MH

Datablad:

QPD1026L Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo QPD1026L

På lager: 7

Lager:: 7 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 7 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	16 232,72 kr	16 232,72 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Märke:	Qorvo
Maximal driftsfrekvens:	450 MHz
Minsta driftfrekvens:	420 MHz
Fuktkänsliga:	Yes
Utgångseffekt:	1.5 kW
Förpackning:	Waffle
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	QPD1026L
Fabriksförpackningskvantitet:	18
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	HEMT

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

QPD1026L Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo QPD1026L GaN RF Input-Matched Transistor is a 1300W (P3dB) discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide High-Electron Mobility Transistor (GaN on SiC HEMT) operating from 420MHz to 450MHz. The QPD1026L provides a linear gain of 25.9dB at 440MHz. Input prematch within the package results in easier external board matching, saving board space. The device supports both continuous wave and pulsed operations.