Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

SCT4045DWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4045DWAHRTL
Price: 110.98 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-SCT4045DWAHRTL

Tillverk: Nr.:

SCT4045DWAHRTL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar TO263 750V 31A N-CH SIC

Datablad:

SCT4045DWAHRTL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL

På lager: 1 996

Lager:: 1 996 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	110,98 kr	110,98 kr
	76,96 kr	769,60 kr
	60,84 kr	6 084,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	57,56 kr	57 560,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-263-7
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	750 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	31 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	59 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4.8 V
Qg - Gate-laddning:	63 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	93 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	9.3 S
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	16 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typ:	Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	27 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.1 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SCT4045DWAHRTL Datablad

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Thailand
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is an automotive-grade device engineered for high-efficiency and high-reliability applications in harsh environments. With a drain-source voltage rating of 750V and a continuous drain current of 31A (at +25°C per chip), this dual MOSFET device offers a typical on-resistance of just 45mΩ per channel, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. Packaged in a compact TO-263-7LA configuration, the ROHM SCT4045DWAHR supports high-density designs and efficient thermal management.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.