Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

TK110Z65Z,S1F

Name: Toshiba TK110Z65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110Z65ZS1F
Price: 63.33 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

757-TK110Z65ZS1F

Tillverk: Nr.:

TK110Z65Z,S1F

Tillverk:

Toshiba

Beskrivning:

MOSFET:er POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

Datablad:

TK110Z65Z,S1F Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Toshiba TK110Z65Z,S1F

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 40
Fabrikens ledtid:: 21

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	63,33 kr	63,33 kr
	37,28 kr	372,80 kr
	31,07 kr	3.107,00 kr
	27,80 kr	13.900,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Toshiba
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	24 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	110 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Qg - Gate-laddning:	40 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	190 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Tube
Märke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	18 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	25
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	90 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	45 ns
Enhetens vikt:	6 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

TK110Z65Z,S1F Datablad (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TK110Z65Z Silicon N-Channel DTMOSIV Series MOSFET

Toshiba TK110Z65Z Silicon N-Channel DTMOSIV Series MOSFET features a low 0.092Ω (typical) drain-source on-resistance, high-speed switching properties, and low capacitance. The TK110Z65Z also features an enhancement mode making it ideal for use in switching power supply applications.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.