Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

GP2T020A120H

Name: SemiQ GP2T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T020A120H
Price: 187.7 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

148-GP2T020A120H

Tillverk: Nr.:

GP2T020A120H

Tillverk:

SemiQ

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET

Datablad:

GP2T020A120H Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om SemiQ GP2T020A120H

På lager: 48

Lager:: 48 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	187,70 kr	187,70 kr
	154,34 kr	1.543,40 kr
	133,53 kr	16.023,60 kr
1 020	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	SemiQ
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-4
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	1.2 kV
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	119 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	18 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	216 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	564 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Falltid:	19 ns
Transkonduktans framåt - Min:	26 S
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	5 ns
Serie:	GP2T020A120
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	38 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	17 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

GP2T020A120H Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET can be combined with silicon carbide Schottky diodes to achieve optimal performance without the trade-offs made with Silicon devices. This MOSFET offers reduced switching losses, higher efficiency, reduced heat sink size, and increased power density. The GP2T020A120H MOSFET features high-speed switching, longer creepage distance, 564W power dissipation, and 800mJ single pulse avalanche energy. This MOSFET is ideal for designers working on EV charging, industrial controls, and HVAC systems. Typical applications include power factor correction, DC-DC converter primary switching, and synchronous rectification.