RH7L04 60V N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH7L04 60V N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 60V drain-source voltage (VDSS) and ±40A continuous drain current (ID) rated automotive-grade MOSFETs. These MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)] and are available in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFETs are ideal forAdvanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Förpackning
ROHM Semiconductor MOSFET:er DFN8 N CHAN 60V
Datablad
2 157På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET:er DFN8 N CHAN 60V
Datablad
2 996Förväntad 2026-02-13
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET:er DFN8 N CHAN 60V
Datablad
3 000Förväntad 2026-02-13
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape