Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RS1G201ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1G201ATTB1
Price: 33.25 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RS1G201ATTB1

Tillverk: Nr.:

RS1G201ATTB1

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er HSOP8 P-CH 40V 20A

Datablad:

RS1G201ATTB1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1

På lager: 6 413

Lager:: 6 413 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	33,25 kr	33,25 kr
	21,80 kr	218,00 kr
	15,26 kr	1 526,00 kr
	13,30 kr	6 650,00 kr
	12,75 kr	12 750,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	12,43 kr	31 075,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	HSOP-8
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	78 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5.2 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V
Qg - Gate-laddning:	130 nC
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	40 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	250 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	98 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 P Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	330 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	24 ns
Del # Alias:	RS1G201AT
Enhetens vikt:	771,020 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RS1G201ATTB1 Datablad

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RS1G201ATTB1 Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1 Power MOSFET features Pb-free plating, low on-resistance, and HSOP8 small surface-mount package. This MOSFET operates at -55°C to 150°C temperature range, -40V drain-source voltage, ±80A pulsed drain current, and ±20V gate-source voltage. The RS1G201ATTB1 power MOSFET is ideal for use in load switching.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.