NVMFWS4D0N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS4D0N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS4D0N04XMT1G
Price: 15.04 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-VMFWS4D0N04XMT1G

Tillverk: Nr.:

NVMFWS4D0N04XMT1G

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NVMFWS4D0N04XMT1G Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVMFWS4D0N04XMT1G

På lager: 2 778

Lager:: 2 778 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 42 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	15,04 kr	15,04 kr
	9,56 kr	95,60 kr
	6,30 kr	630,00 kr
	4,98 kr	2.490,00 kr
	4,64 kr	4.640,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
	4,11 kr	6.165,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFNW-5
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	80 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.5 V
Qg - Gate-laddning:	12 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	43 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	9 ns
Transkonduktans framåt - Min:	32 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8 ns
Serie:	NVMFWS4D0N04XM
Fabriksförpackningskvantitet:	1500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	10 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	7 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVMFWS4D0N04XMT1G Datablad (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS4D0N04XM MOSFET

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET offers a low R_DS(on) and capacitance in an AEC-Q101 qualified package. The MOSFET has a 40V drain-to-source voltage, 80A continuous drain current, and 3.9mΩ at 10V drain-to-source resistance. The onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET is available in a SO-8FL 5mm x 6mm small footprint package and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification applications.