CMPA2735030S

MACOM
941-CMPA2735030S
CMPA2735030S

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 40

Lager:
40 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
2.837,05 kr 2.837,05 kr
2.541,23 kr 25.412,30 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 25)
2.488,91 kr 62.222,75 kr
100 Beräkning

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
MACOM
Produktkategori: RF-förstärkare
RoHS-direktivet:  
2.7 GHz to 3.5 GHz
28.1 dB
SMD/SMT
QFN-32
GaN
+ 225 C
Reel
Cut Tape
Märke: MACOM
Fuktkänsliga: Yes
Pd - Effektavledning: 32 W
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 25
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542330000
USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

CMPA2735030S GaN MMIC-effektförstärkare på 30 W

GaN MMIC-effektförstärkaren CMPA2735030S från Wolfspeed/Cree för 2,7 GHz till 3,5 GHz på 30 W är en HEMT-baserad integrerad krets för monolitiska mikrovågor (MMIC). GaN-förstärkaren (galliumnitrid) CMPA2735030S har utmärkta fördelar jämfört med kisel eller galliumarsenid, inklusive högre genomslagsspänning, högre mättad elektronströmningshastighet och högre värmeledningsförmåga. GaN HEMT ger dessutom en större effekttäthet och bredare bandbredder jämfört transistorer av Si och GaAs.