CLP24H4S30PXY

Ampleon
94-CLP24H4S30PXY
CLP24H4S30PXY

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 87

Lager:
87 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
611,60 kr 611,60 kr
554,27 kr 5.542,70 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 100)
496,93 kr 49.693,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Ampleon
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
150 V
774 uA
- 15 V, 2 V
- 2.2 V
+ 225 C
Märke: Ampleon
Förstärkning: 18.4 dB
Fuktkänsliga: Yes
Utgångseffekt: 30 W
Förpackning: Reel
Förpackning: Cut Tape
Produkttyp: GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet: 100
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN SiC
Typ: RF Power MOSFET
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.