NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 9 702

Lager:
9 702 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
21 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
20,27 kr 20,27 kr
13,41 kr 134,10 kr
9,07 kr 907,00 kr
7,23 kr 3.615,00 kr
6,87 kr 6.870,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1500)
6,22 kr 9.330,00 kr
5,91 kr 17.730,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
onsemi
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Märke: onsemi
Produkttyp: MOSFETs
Serie: NTTFS012N10MD
Fabriksförpackningskvantitet: 1500
Underkategori: Transistors
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench-teknik

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance RDS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low QG and capacitance to minimize driver losses, low QRR, soft recovery body diode, and low QOSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.