HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Typer av Transistorer
Ändra kategorivy
Resultat: 28
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS Produkttyp
Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 600
Multipla: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 14 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

IGBT Transistors