Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

BGAV1A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGAV1A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGAV1A10E6327XTS
Price: 3.78 SEK
Availability: Discontinued

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-BGAV1A10E6327XTS

Tillverk: Nr.:

BGAV1A10E6327XTSA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

RF-förstärkare RF SILICON MMIC

Livscykel:

NRND:

Rekommenderas ej för ny design.

Datablad:

BGAV1A10E6327XTSA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies BGAV1A10E6327XTSA1

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: Begär kostnadsberäkning för leverans

Ange kvantitet:

Minst: 4500 Flera: 4500

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 4500)
	3,78 kr	17 010,00 kr
	3,65 kr	32 850,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	RF-förstärkare
RoHS-direktivet:
Manövreringsfrekvens:	3.4 GHz to 3.8 GHz
Driftspänning:	1.7 V to 1.9 V
Arbetsström:	5 mA
Förstärkning:	22 dB
NF - brustal:	1.3 dB
Typ:	Low Noise Amplifiers
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	ATSLP-10-3
Teknologi:	Si
P1dB - Kompressionspunkt:	3 dBm
OIP3 - Skärningspunkt för tredje ordern:	32 dBm
Minsta drifttemperatur:	- 30 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Förpackning:	Reel
Märke:	Infineon Technologies
Ingångsreturförlust:	13 dB
Isolering dB:	32 dB
Antal kanaler:	1 Channel
Pd - Effektavledning:	90 mW
Produkttyp:	RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet:	4500
Underkategori:	Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrekvens:	3.5 GHz
Del # Alias:	BGA V1A10 E6327 SP001628074
Enhetens vikt:	2,450 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BGAV1A10E6327XTSA1 Datablad (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8537109899
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8537109920
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

BGAx1A10 LTE LNA with Gain Control

Infineon Technologies BGAx1A10 LTE Low Noise Amplifiers (LNA) with Gain Control are designed to significantly improve the data rate of LTE communications. These BGAx1A10 LNAs feature an integrated gain control, bypass function, high system flexibility, and a low noise figure. The bypass mode reduces current consumption, and the Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control interface reduces the control lines to a minimum. The BGAx1A10 LNAs ensures high LTE data rates due to high gain feature and higher system flexibility due to integrated gain control.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.